2 Vishay パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 1.3 A, 表面 20 V, 6-Pin エンハンスメント型 パッケージSC-88

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥65,637.00

(税抜)

￥72,201.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年6月08日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
3000 - 12000￥21.879￥65,637
15000 - 27000￥21.494￥64,482
30000 - 72000￥21.109￥63,327
75000 - 147000￥20.723￥62,169
150000 +￥20.338￥61,014

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
165-6930
メーカー型番:
SI1922EDH-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

1.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SC-88

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

263mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

1.6nC

動作温度 Min

150°C

最大ゲートソース電圧Vgs

8 V

最大許容損失Pd

1.25W

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

分離式

規格 / 承認

No

幅

1.35 mm

長さ

2.2mm

高さ

1mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
PH

デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


関連ページ