Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 59 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール800個入り) 小計：*

￥95,594.40

(税抜)

￥105,153.60

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年3月30日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
800 - 3200￥119.493￥95,594
4000 - 7200￥118.284￥94,627
8000 - 19200￥115.914￥92,731
20000 - 39200￥113.601￥90,881
40000 +￥111.328￥89,062

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
162-3273
メーカー型番:
IRF3710ZSTRLPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

59A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

IRF3710ZS

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

18mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

160W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

82nC

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

長さ

10.67mm

規格 / 承認

No

高さ

4.83mm

幅

9.65 mm

自動車規格

AEC-Q101

このHEXFET®パワーMOSFETでは、最新のプロセス技術を活かし、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。他にも、ジャンクション動作温度175 °C、高速スイッチング、向上した反復アバランシェ定格といった特長があります。こうした特長が相まって、幅広い用途に使用できる、効率と信頼性の極めて高いデバイスとなっています。

先進のプロセス技術

超低ON抵抗

動的dv/dt定格

動作温度: 175 °C

高速スイッチング

反復アバランシェはTjmaxまで許容

無鉛

関連ページ