onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 3 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-223
- RS品番:
- 163-0802
- メーカー型番:
- NVF3055L108T1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 1000 - 4000 | ￥72.117 | ￥72,117 |
| 5000 - 9000 | ￥72.033 | ￥72,033 |
| 10000 - 24000 | ￥71.193 | ￥71,193 |
| 25000 - 49000 | ￥70.366 | ￥70,366 |
| 50000 + | ￥69.526 | ￥69,526 |
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- RS品番:
- 163-0802
- メーカー型番:
- NVF3055L108T1G
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 3A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | SOT-223 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 120mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 15 V | |
| 順方向電圧 Vf | 0.87V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| 最大許容損失Pd | 2.1W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 1.65mm | |
| 長さ | 6.7mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 3.7 mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 3A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 SOT-223 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 120mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 15 V | ||
順方向電圧 Vf 0.87V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 7.6nC | ||
最大許容損失Pd 2.1W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 1.65mm | ||
長さ 6.7mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 3.7 mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- MY