Infineon MOSFET 55 V, 5 A, 表面 パッケージSOT-223, IRLL024ZTRPBF
- RS品番:
- 258-3997
- メーカー型番:
- IRLL024ZTRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 258-3997
- メーカー型番:
- IRLL024ZTRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 55V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | SOT-223 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 55V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 SOT-223 | ||
取付タイプ 表面 | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon HEXFETパワーMOSFETは、車載用途向けに特別に設計されています。このHEXFETパワーMOSFETは、最新の処理技術を採用して、シリコンエリアあたりのオン抵抗が非常に低くなっています。この設計の追加機能には、ジャンクション動作温度、高速スイッチング速度、及び繰り返しのアバランシェ定格があります。これらの機能を組み合わせて、この設計は、自動車用途やその他のさまざまな用途での使用に最も効率的で信頼性の高いデバイスです。
高度なプロセス技術
超低オン抵抗
ロジックレベルゲートドライブ
動作温度: 150 °C
高速スイッチング
リピータブルアバランシェ: 最大Tjmaxまで許容
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