STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 22 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージI2PAK
- RS品番:
- 164-6960
- メーカー型番:
- STI28N60M2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 164-6960
- メーカー型番:
- STI28N60M2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 22A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | STI28 | |
| パッケージ型式 | I2PAK | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 150mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 170W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.6V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 25 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 36nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 9.3mm | |
| 幅 | 4.6 mm | |
| 長さ | 10.4mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 22A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ STI28 | ||
パッケージ型式 I2PAK | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 150mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 170W | ||
順方向電圧 Vf 1.6V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 25 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 36nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 9.3mm | ||
幅 4.6 mm | ||
長さ 10.4mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
MDmesh™ M2テクノロジーを使用したNチャンネルパワーMOSFETです。これらのデバイスは、ストリップレイアウトと垂直構造の改善により、低オン抵抗と最適化されたスイッチング特性を示し、最も過酷な高効率コンバータ用途に最適です。
超低ゲート電荷
優れた出力静電容量(COSS )プロファイル
アバランシェ100 %テスト済み
ツェナー保護
超低Qgによる効率の向上
共振電源(LLCコンバータ)向けのゲート荷電及び静電容量プロファイルの最適化
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