STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 30 A, 表面実装, 7 ピン, SCT040H65G3AG
- RS品番:
- 249-6654
- メーカー型番:
- SCT040H65G3AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- 249-6654
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- SCT040H65G3AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 30 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V | |
| パッケージタイプ | H2PAK-7 | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 7 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 30 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 650 V | ||
パッケージタイプ H2PAK-7 | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 7 | ||
STの先進的かつ革新的な第3世代Sic MOSFETテクノロジーにより開発されたSTMicroelectronics シリコンカーバイドパワー MOSFET デバイスです。このデバイスは、温度範囲全体で非常に低いRDS(オン)と低静電容量と非常に高いスイッチング動作を備え、周波数、エネルギー効率、システムサイズおよび重量の削減においてアプリケーションの性能を向上させます。
AEC-Q101認定、
温度範囲全体で非常に低いRDS(オン)、
高速スイッチング性能、
非常に高速で堅牢な本質ダイオード、
効率を向上させるソース検出ピン
温度範囲全体で非常に低いRDS(オン)、
高速スイッチング性能、
非常に高速で堅牢な本質ダイオード、
効率を向上させるソース検出ピン
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