STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル, 30 A 650 V, 表面実装, 7-Pin, SCT040H65G3AG パッケージH2PAK-7
- RS品番:
- 249-6654
- メーカー型番:
- SCT040H65G3AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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| 30 - 299 | ￥2,314 |
| 300 - 399 | ￥2,291 |
| 400 - 799 | ￥2,267 |
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- RS品番:
- 249-6654
- メーカー型番:
- SCT040H65G3AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 30A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | H2PAK-7 | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 7 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 30A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 H2PAK-7 | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 7 | ||
STMicroelectronicsシリコンカーバイドパワーMOSFETデバイスは、STの先進的で革新的な第3世代SiC MOSFET技術を使用して開発されています。このデバイスは、温度範囲全体で非常に低いRDS(オン)と低静電容量と非常に高いスイッチング動作を備え、周波数、エネルギー効率、システムサイズおよび重量の削減においてアプリケーションの性能を向上させます。
AEC-Q101適合
全温度範囲にわたって非常に低いRDS(on)
高速スイッチング性能
非常に高速で堅牢なボディダイオード
効率を高めるソース検知ピン
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