Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 250 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
165-5484
メーカー型番:
IRFS7437TRLPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

250A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

230W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

150nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

10.67mm

高さ

4.83mm

幅

9.65 mm

自動車規格

なし

RoHSステータス: 該当なし

COO（原産国）:
MX

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流250A、最大消費電力230W - IRFS7437TRLPBF


このMOSFETは、効率的な電力管理を必要とする高性能アプリケーション向けである。さまざまな分野で利用されており、厳しい環境に適した堅牢な機能を備えている。高電流・高電圧レベルを管理する能力により、先端技術アプリケーションに適している。

特徴と利点


• ハイパワーアプリケーション向けに最大連続ドレイン電流250Aをサポート

• 最大ドレイン・ソース間電圧は40Vで、さまざまなセットアップにおける信頼性を確保

• Rds(on)が1.4mΩと低く、電力損失の低減に貢献

• 表面実装用に設計されており、設置が簡単

• 高速スイッチングアプリケーションに対応し、効率を向上

用途


• ブラシ付きモーター駆動に最適

• バッテリー駆動の回路に最適で、効率的な電力利用が可能

• ハーフブリッジおよびフルブリッジのトポロジーに採用し、精密な制御を実現

• 同期整流器に使用 省エネルギーを強化する

• 安定した性能を発揮する共振モード電源に適用可能

運転中の電力損失はどのように管理されていますか？


電力損失は最大定格230Wで管理され、高負荷状態での熱安定性を確保する。

Rds(on)の値が低いことの意味は？


低いRds(on)値は、動作中のエネルギー損失を最小限に抑え、大電流アプリケーションの効率を向上させる。

高温環境でも使用できますか？


動作温度範囲は-55℃～+175℃で、高温環境を含むさまざまな用途に適している。

どのような設置上の注意点がありますか？


過酷な使用環境下でも動作効率と信頼性を維持できるよう、仕様に沿った適切な熱管理を行う。

様々な電源設計に対応していますか？


MOSFETは汎用性があり、数多くの電源設計に組み込むことができるため、さまざまなプロジェクトに適応できる。

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