Infineon MOSFET, Nチャンネル, 600 V, 120 mA, 45 Ω, 4.4 nC, 4ピン, パッケージ：SOT-223
- RS品番:
- 165-5811
- メーカー型番:
- BSP125H6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 165-5811
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- BSP125H6327XTSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 120mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| シリーズ | SIPMOS | |
| パッケージ型式 | SOT-223 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 45Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 0.8V | |
| 最大許容損失Pd | 1.8W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 4.4nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 幅 | 3.5mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 6.5mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 120mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
シリーズ SIPMOS | ||
パッケージ型式 SOT-223 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 45Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 0.8V | ||
最大許容損失Pd 1.8W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 4.4nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.5mm | ||
幅 3.5mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 6.5mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- CN
Infineon SIPMOSシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 600V、最大連続ドレイン電流 120mA - BSP125H6327XTSA1
このMOSFETは、過酷な環境での表面実装電力用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングデバイスです。広い温度範囲で動作し、高いドレイン対ソースブロッキング能力と制御されたスイッチング動作が必要な回路向けに設計されています。このパッケージは自動基板アセンブリをサポートし、輸送および産業環境の電子システムに適しています。
特長：
• 600Vのドレイン-ソース間定格により、高電圧スイッチングが可能
• 45Ωの最大RDSによりオフ状態での漏れを低減
• 4.4nC標準ゲート電荷により高速なゲート遷移を実現
• 低電流電力段階向けの120mAの連続ドレイン電流
• 0.8Vの順方向電圧により、ダイオード経路における導通電圧降下を最小限に抑制
• 1.8Wの最大消費電力により低電力処理に対応
• 45Ωの最大RDSによりオフ状態での漏れを低減
• 4.4nC標準ゲート電荷により高速なゲート遷移を実現
• 低電流電力段階向けの120mAの連続ドレイン電流
• 0.8Vの順方向電圧により、ダイオード経路における導通電圧降下を最小限に抑制
• 1.8Wの最大消費電力により低電力処理に対応
用途
• 自動車用高電圧補助回路に最適
• 電源における入力ステージスイッチングに最適
• 絶縁が必要な産業用センサーインターフェースに使用
• 小型モータードライバ保護抵抗体に使用可能
• バッテリー管理および電荷サブシステムに有用
• 電源における入力ステージスイッチングに最適
• 絶縁が必要な産業用センサーインターフェースに使用
• 小型モータードライバ保護抵抗体に使用可能
• バッテリー管理および電荷サブシステムに有用
基板実装にはどのような取付方式が必要ですか？
表面実装SOT-223スタイルパッケージで、はんだ付けプリント基板の実装およびリフロープロセス向けに設計されています。
極端な温度下でどのように動作しますか？
このデバイスは-55°C～150°Cで動作し、その熱スパン全体でスイッチング機能と指定された制限を維持します。
設計時に守る必要があるゲート電圧の制限値はどのくらいですか？
最大ゲート-ソース間電圧は20Vで、損傷を避けるためにドライブ回路はこの振幅を超えてはなりません。
パルス対連続電流に制限はありますか？
指定連続ドレイン容量：120mA
過渡電流が大きい場合は熱および安全な動作領域の評価が必要になります。
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