Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 120 mA エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-223

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RS品番:
165-5811
メーカー型番:
BSP125H6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

120mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

SOT-223

シリーズ

SIPMOS

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

45Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

4.4nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

1.8W

順方向電圧 Vf

0.8V

動作温度 Max

150°C

幅

3.5 mm

長さ

6.5mm

規格 / 承認

No

高さ

1.5mm

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
CN

Infineon SIPMOS® NチャンネルMOSFET


MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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