Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 2.9 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-223

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RS品番:
178-5073
メーカー型番:
BSP613PH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

2.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

SIPMOS

パッケージ型式

SOT-223

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

130mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

最大許容損失Pd

10.8W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

22nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

幅

40 mm

高さ

1.5mm

長さ

40mm

自動車規格

AEC-Q101

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


Infineon SIPMOS® PチャンネルMOSFET


Infineon SIPMOS®小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。

· AEC Q101適合(データシートを参照してください)

· 無鉛めっき、RoHS対応

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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