Vishay Pチャンネル MOSFET200 V 4 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- RS品番:
- 165-6000
- メーカー型番:
- SIHF9630STRL-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
一時的な在庫切れ - 2024/09/03に入荷し、その後4営業日でお届け予定
追加されました
単価： 購入単位は800 個
￥100.00
(税抜)
￥110.00
(税込)
| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 800 - 3200 | ￥100.00 | ￥80,000.00 |
| 4000 - 7200 | ￥98.00 | ￥78,400.00 |
| 8000 - 19200 | ￥96.04 | ￥76,832.00 |
| 20000 - 39200 | ￥94.119 | ￥75,295.20 |
| 40000 + | ￥92.236 | ￥73,788.80 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 165-6000
- メーカー型番:
- SIHF9630STRL-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | P |
| 最大連続ドレイン電流 | 4 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 200 V |
| パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 800 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2V |
| 最大パワー消費 | 74 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 長さ | 10.67mm |
| 幅 | 9.65mm |
| 高さ | 4.83mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
関連ページ
- Vishay Nチャンネル MOSFET200 V 5.2 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- Vishay Pチャンネル MOSFET200 V 2 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- Vishay Nチャンネル MOSFET100 V 28 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- Vishay Nチャンネル MOSFET500 V 8.1 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- Vishay Nチャンネル MOSFET200 V 9 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- Vishay Nチャンネル MOSFET100 V 14 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- Vishay Pチャンネル MOSFET200 V 6.5 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- Vishay Pチャンネル MOSFET100 V 13 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン