Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SIHF630STRL-GE3

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梱包形態
RS品番:
815-2623
メーカー型番:
SIHF630STRL-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

SiHF630S

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

400mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

74W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

43nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

4.83mm

長さ

10.67mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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