Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SIHF630STRL-GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計：*

￥2,432.00

(税抜)

￥2,675.20

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年3月17日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
10 - 90￥243.20￥2,432
100 - 240￥225.60￥2,256
250 - 490￥208.10￥2,081
500 - 990￥190.50￥1,905
1000 +￥172.90￥1,729

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
815-2623
メーカー型番:
SIHF630STRL-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

シリーズ

SiHF630S

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

400mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

43nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

2V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

74W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

幅

9.65 mm

長さ

10.67mm

高さ

4.83mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


関連ページ