Vishay Nチャンネル MOSFET200 V 9 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- RS品番:
- 815-2623
- メーカー型番:
- SIHF630STRL-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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単価： 購入単位は10個
￥192.50
(税抜)
￥211.75
(税込)
| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 10 - 30 | ￥192.50 | ￥1,925.00 |
| 40 - 340 | ￥190.60 | ￥1,906.00 |
| 350 - 490 | ￥139.40 | ￥1,394.00 |
| 500 - 590 | ￥113.80 | ￥1,138.00 |
| 600 + | ￥88.20 | ￥882.00 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 815-2623
- メーカー型番:
- SIHF630STRL-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 9 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 200 V |
| パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 400 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2V |
| 最大パワー消費 | 74 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 幅 | 9.65mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| 長さ | 10.67mm |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 高さ | 4.83mm |
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