STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 60 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- RS品番:
- 165-6855
- メーカー型番:
- STB60NF06LT4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
| 1000 - 1000 | ￥210.769 | ￥210,769.00 |
| 2000 - 9000 | ￥206.553 | ￥206,553.00 |
| 10000 - 14000 | ￥202.422 | ￥202,422.00 |
| 15000 - 19000 | ￥198.374 | ￥198,374.00 |
| 20000 + | ￥194.406 | ￥194,406.00 |
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- RS品番:
- 165-6855
- メーカー型番:
- STB60NF06LT4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
データシート
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
NチャンネルSTripFET™ II、STMicroelectronics
広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 60 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
| シリーズ | STripFET II |
| パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 14 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 1V |
| 最大パワー消費 | 110 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -15 V, +15 V |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 35 nC @ 4.5 V |
| 長さ | 10.4mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 幅 | 9.35mm |
| 動作温度 Max | +175 °C |
| 高さ | 4.6mm |
| 動作温度 Min | -65 °C |
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