STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 60 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール1000個入り) 小計:*

¥204,679.00

(税抜)

¥225,147.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年5月11日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
1000 - 1000¥204.679¥204,679
2000 - 9000¥201.669¥201,669
10000 - 14000¥198.659¥198,659
15000 - 19000¥195.649¥195,649
20000 +¥192.639¥192,639

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
165-6855
メーカー型番:
STB60NF06LT4
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

60A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

STripFET II

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

14mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

35nC

動作温度 Min

-65°C

最大ゲートソース電圧Vgs

15 V

最大許容損失Pd

110W

動作温度 Max

175°C

長さ

10.4mm

規格 / 承認

No

9.35 mm

高さ

4.6mm

自動車規格

AEC-Q101

COO(原産国):
CN

NチャンネルSTripFET™ II、STMicroelectronics


広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics


関連ページ