STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 50 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- RS品番:
- 687-5197
- メーカー型番:
- STB55NF06T4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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単価： 購入単位は5個
￥436.00
(税抜)
￥479.60
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | ￥436.00 | ￥2,180.00 |
| 50 - 470 | ￥377.00 | ￥1,885.00 |
| 475 - 595 | ￥317.80 | ￥1,589.00 |
| 600 - 795 | ￥259.00 | ￥1,295.00 |
| 800 + | ￥200.00 | ￥1,000.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 687-5197
- メーカー型番:
- STB55NF06T4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
その他
詳細情報
NチャンネルSTripFET™ II、STMicroelectronics
広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 50 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
| シリーズ | STripFET II |
| パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 18 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2V |
| 最大パワー消費 | 110W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 44.5 nC @ 10 V |
| 幅 | 9.35mm |
| 長さ | 10.4mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 動作温度 Max | +175 °C |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 高さ | 4.6mm |
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