STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 60 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, STB60NF06LT4

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梱包形態
RS品番:
795-6944
メーカー型番:
STB60NF06LT4
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

60A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

STripFET II

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

14mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

35nC

最大許容損失Pd

110W

順方向電圧 Vf

1.3V

最大ゲートソース電圧Vgs

15 V

動作温度 Min

-65°C

動作温度 Max

175°C

高さ

4.6mm

規格 / 承認

No

長さ

10.4mm

幅

9.35 mm

自動車規格

AEC-Q101

NチャンネルSTripFET™ II、STMicroelectronics


広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics


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