Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 40 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージTSDSON

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール5000個入り) 小計:*

¥226,345.00

(税抜)

¥248,980.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 10,000 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
5000 - 5000¥45.269¥226,345
10000 - 45000¥44.603¥223,015
50000 - 70000¥43.937¥219,685
75000 - 95000¥43.271¥216,355
100000 +¥42.606¥213,030

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
165-6878
メーカー型番:
BSZ086P03NS3GATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

40A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

TSDSON

シリーズ

OptiMOS P

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

13.4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

43.2nC

順方向電圧 Vf

-1.1V

最大許容損失Pd

69W

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

3.4mm

高さ

1.1mm

3.4 mm

自動車規格

なし

RoHSステータス: 該当なし

COO(原産国):
CN

Infineon OptiMOS ™ P チャネルパワーMOSFET


Infineon OptiMOS の機能 ™ P チャネルパワー MOSFET は、高品質の性能を発揮する強化機能を提供するように設計されています。超低スイッチング損失、オン状態抵抗、アバランシェ定格、自動車ソリューション向けの AEC 認定などの機能を備えています。DC-DC 、モータ制御、自動車、 eMobility などの用途に適しています。

エンハンスメントモード

アバランシェ定格

スイッチングロスと導電損失が低い

無鉛めっき、RoHS準拠

標準パッケージ

OptiMOS™ Pチャンネルシリーズ: -55 → +175 ℃の温度範囲

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

関連ページ