Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 30 V, 40 A, 13.4 mΩ, 43.2 nC, 8ピン, パッケージ:TSDSON

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 袋(1袋20個入り) 小計:*

¥3,372.00

(税抜)

¥3,709.20

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2027年2月11日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
購入単位毎合計*
20 - 280¥168.60¥3,372
300 - 2380¥147.40¥2,948
2400 - 3180¥126.15¥2,523
3200 - 3980¥105.00¥2,100
4000 +¥83.55¥1,671

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
825-9134
メーカー型番:
BSZ086P03NS3EGATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

40A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

TSDSON

シリーズ

OptiMOS P

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

13.4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

25V

最大許容損失Pd

69W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

43.2nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

-1.1V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

1.1mm

3.4mm

長さ

3.4mm

自動車規格

なし

RoHSステータス: 該当なし

インフィニオン OptiMOS Pシリーズ +MOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 30V、最大連続ドレイン電流 40A - BSZ086P03NS3EGATMA1


このMOSFETは、コンパクトな表面実装アセンブリにおける大電流スイッチング用に設計されたPチャンネルエンハンスメントデバイスです。過酷な電子環境に適した幅広い温度範囲で動作し、大ドレイン電流と許容電力に対応するよう設計されています。このパッケージは、ロープロファイルの8ピンTSDSONで、効率的な基板実装を実現し、熱性能を発揮します。

特長:


• 低抵抗により、大電流時の導通損失を低減
• 連続ドレイン電流 40A により、高負荷スイッチングをサポート
• 69Wの最大許容電力により、より高い電力処理を実現
• 標準ゲート電荷 43.2nC により、スイッチング速度とゲート駆動能力のバランスを確保
• 25Vのゲート許容差により、堅牢なゲート駆動マージンを確保
• 30Vドレイン-ソース定格により、中電圧システム設計に最適

用途


• ポイントオブロード電力変換モジュールに最適
• 同期型降圧コンバータスイッチに最適
• 電力システムのバッテリー管理回路に使用
• モータードライバローサイド/電源経路制御に使用可能
• 通信とサーバー電源レールに最適

動作時に対応できる温度範囲はどのくらいですか?


-55°C~150°Cで動作するように定義され、幅広い環境およびジャンクションに対応します。

ピン数はいくつで、どのような取付方式を採用していますか?


このデバイスは8ピンフットプリントを採用し、TSDSONパッケージで表面実装するように設計されています。

どのような電気的特性により、導通損失を制限しますか?


このデバイスの最大ドレインソース抵抗は13.4mΩで、オン状態の電圧降下と効率を調整します。

スイッチング回路の設計において、どのようなゲート駆動に関する考慮事項が重要となりますか?


標準ゲート電荷43.2nC、最大ゲート-ソース定格25Vで、ドライブ回路は電圧制限内で十分な電荷を供給する必要があります。

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。