Vishay Pチャンネル MOSFET20 V 35 A 表面実装 パッケージPowerPAK 1212-8 8 ピン
- RS品番:
- 165-6973
- メーカー型番:
- SI7615ADN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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単価： 購入単位は3000 個
￥45.506
(税抜)
￥50.057
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | ￥45.506 | ￥136,518.00 |
| 15000 - 27000 | ￥44.148 | ￥132,444.00 |
| 30000 - 72000 | ￥41.794 | ￥125,382.00 |
| 75000 - 147000 | ￥40.616 | ￥121,848.00 |
| 150000 + | ￥39.439 | ￥118,317.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 165-6973
- メーカー型番:
- SI7615ADN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
詳細情報
PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | P |
| 最大連続ドレイン電流 | 35 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 20 V |
| パッケージタイプ | PowerPAK 1212-8 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 8 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 9.8 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 0.4V |
| 最大パワー消費 | 52 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -12 V, +12 V |
| 幅 | 3.4mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 122 nC @ 10 V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 長さ | 3.4mm |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 高さ | 1.12mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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