Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 52 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SIS862ADN-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
188-4951
Distrelec 品番:
304-38-850
メーカー型番:
SIS862ADN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

52A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

SiS862ADN

パッケージ型式

PowerPAK 1212

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

11mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

19.8nC

最大許容損失Pd

39W

動作温度 Max

150°C

高さ

1.07mm

規格 / 承認

No

幅

3.15 mm

長さ

3.15mm

自動車規格

なし

N チャンネル 60 V （ D-S ） MOSFET です

TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET

超低 RDS x Qg 性能指数（ FOM ）

最低の RDS x Qoss FOM に合わせて調整済み

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