Vishay MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 52 A, 11 mΩ, 19.8 nC, 8ピン, パッケージ：PowerPAK 1212
- RS品番:
- 188-4951
- Distrelec 品番:
- 304-38-850
- メーカー型番:
- SIS862ADN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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|---|---|---|
| 25 - 125 | ￥174.40 | ￥4,360 |
| 150 - 1350 | ￥153.40 | ￥3,835 |
| 1375 - 1725 | ￥131.12 | ￥3,278 |
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- RS品番:
- 188-4951
- Distrelec 品番:
- 304-38-850
- メーカー型番:
- SIS862ADN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 52A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | SiS862ADN | |
| パッケージ型式 | PowerPAK 1212 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 11mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 39W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 19.8nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 3.15mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.07mm | |
| 幅 | 3.15mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 52A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ SiS862ADN | ||
パッケージ型式 PowerPAK 1212 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 11mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 39W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 19.8nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 3.15mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.07mm | ||
幅 3.15mm | ||
自動車規格 なし | ||
N チャンネル 60 V （ D-S ） MOSFET です
TrenchFET® Gen IVパワーMOSFET
超低 RDS x Qg 性能指数（ FOM ）
最低の RDS x Qoss FOM に合わせて調整済み
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