Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 1.7 A, 300 mΩ, 6.2 nC, 4ピン, パッケージ:SOT-223

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RS品番:
165-7514
メーカー型番:
BSP373NH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

1.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

SIPMOS

パッケージ型式

SOT-223

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

300mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

1.8W

順方向電圧 Vf

820mV

最大ゲートソース電圧Vgs

-20V, +20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6.2nC

動作温度 Max

150°C

長さ

6.5mm

規格 / 承認

No

幅

3.5mm

高さ

1.6mm

自動車規格

AEC-Q101

インフィニオン SIPMOSシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 100V、最大連続ドレイン電流 1.7A - BSP373NH6327XTSA1


このMOSFETは、要求の厳しい環境での表面実装電源スイッチング・制御用に設計されたコンパクトなNチャンネルエンハンスメントトランジスタです。広い温度範囲で動作し、中程度の連続電流および電圧レベルに対応するため、堅牢な自動車用スイッチング抵抗体を必要とする電子システムに適しています。

特長:


• ドレイン-ソース間定格電圧 100V により、高電圧スイッチング用途に対応
• 300mΩのRds(on)により、定格電流時の導通損失を低減
• 1.7Aの連続ドレイン電流により安定状態の負荷をサポート
• 6.2nCの標準ゲート電荷により、効率的なスイッチング制御が可能
• 最大1.8Wの許容電力により、使用時の熱負荷を抑制
• 最大ゲート・ソース間電圧20 Vにより、柔軟なゲート駆動電圧に対応

用途


• 自動車用電子モジュールにおける電力管理に最適
• 制限されたアセンブリのDC/DCコンバータに最適
• 低電力アクチュエータ制御用のモータードライバに使用
• テレマティックスユニットの負荷スイッチングに使用可能
• 補助車両システムのバッテリー管理に使用

コンパクトな基板レベル取り付けには、どのようなパッケージが使用されますか?


表面実装組立用に設計されたSOT-223パッケージで提供され、プリント基板スペースを節約し、タブを通じた熱伝達が可能です。

高温環境ではどのように機能しますか?


-55°C~150°Cまで動作するように設計され、高温環境やエンジンベイ環境での使用が可能です。

設計者は、いくつのピン数と取付方式を想定すべきですか?


このデバイスは4本のピンを使用し、機械的および電気的接続用の基板への直接表面実装を目的としています。

このデバイスは、車載用認定要件に適合していますか?


半導体デバイス用の自動車グレードAEC-Q101規格に適合し、車載用電子機器の信頼性仕様に準拠しています。

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