Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 1.2 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-223, BSP296NH6327XTSA1

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RS品番:
826-9260
Distrelec 品番:
304-44-413
メーカー型番:
BSP296NH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

1.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

SOT-223

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

800mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

4.5nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.85V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

1.8W

動作温度 Max

150°C

長さ

6.5mm

3.5 mm

規格 / 承認

No

高さ

1.6mm

自動車規格

AEC-Q101

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


Infineon OptiMOS™小信号MOSFET


MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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