Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, 30 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2500個入り) 小計：*

￥203,705.00

(税抜)

￥224,075.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 7,500 は 2025年12月31日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2500 - 2500￥81.482￥203,705
5000 - 22500￥80.284￥200,710
25000 - 35000￥79.086￥197,715
37500 - 47500￥77.888￥194,720
50000 +￥76.69￥191,725

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
165-8011
メーカー型番:
SPD30P06PGBTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

30A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

SIPMOS

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

75mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

32nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

-1.3V

最大許容損失Pd

125W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

幅

6.22 mm

規格 / 承認

No

長さ

6.73mm

高さ

2.41mm

自動車規格

AEC-Q101

RoHSステータス: 該当なし

COO（原産国）:
CN

Infineon SIPMOS® PチャンネルMOSFET


Infineon SIPMOS®小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。

· AEC Q101適合(データシートを参照してください)

· 無鉛めっき、RoHS対応

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

関連ページ