Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 60 V, -18.6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージPG-TO252-3

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RS品番:
273-2832
メーカー型番:
SPD18P06PGBTMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

-18.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

PG-TO252-3

シリーズ

SPD18P06P G

取付タイプ

表面

ピン数

3

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.33V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

80W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

22nC

動作温度 Max

175°C

幅

40 mm

高さ

1.5mm

規格 / 承認

IEC 68-1, RoHS, AEC Q101

長さ

40mm

自動車規格

AEC-Q101

Infineon MOSFETは、Pチャンネル、強化モードMOSFETです。動作温度は175 °Cです。このMOSFETは、AEC Q101規格に準拠しています。

RoHS準拠

アバランシェ定格

鉛フリーリードめっき

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