Infineon Nチャンネル MOSFET60 V 375 A 表面実装 パッケージDirectFET ISOMETRIC

DirectFET®パワーパッケージは、表面実装のパワーMOSFETパッケージング技術を採用しています。 DirectFET® MOSFETは、エネルギー損失量を削減しながら、高度なスイッチング用途向けに設計するフットプリントを縮小するソリューションです。

該当するフットプリントに収納された業界最低のオン抵抗
非常に低いパッケージ抵抗で導電損失を最小化
非常に効率的な両面冷却により、電力密度、コスト及び信頼性が大幅に改善されます。
わずか0.7 mmの低プロファイル

MOSFETトランジスタ、Infineon

Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。