Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 375 A エンハンスメント型, 表面, 15-Pin パッケージDirectFET
- RS品番:
- 165-8086
- メーカー型番:
- IRF7749L1TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 4000 - 4000 | ￥355.052 | ￥1,420,208 |
| 8000 - 36000 | ￥353.739 | ￥1,414,956 |
| 40000 - 56000 | ￥348.841 | ￥1,395,364 |
| 60000 - 76000 | ￥343.925 | ￥1,375,700 |
| 80000 + | ￥339.028 | ￥1,356,112 |
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- RS品番:
- 165-8086
- メーカー型番:
- IRF7749L1TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 375A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | DirectFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 15 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.5mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 200nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 125W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 0.49mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 7.1 mm | |
| 長さ | 9.15mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 375A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 DirectFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 15 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.5mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 200nC | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 125W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 0.49mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 7.1 mm | ||
長さ 9.15mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- MX
DirectFET®パワーMOSFET、Infineon
DirectFET®パワーパッケージは、表面実装のパワーMOSFETパッケージング技術を採用しています。 DirectFET® MOSFETは、エネルギー損失量を削減しながら、高度なスイッチング用途向けに設計するフットプリントを縮小するソリューションです。
該当するフットプリントに収納された業界最低のオン抵抗
非常に低いパッケージ抵抗で導電損失を最小化
非常に効率的な両面冷却により、電力密度、コスト及び信頼性が大幅に改善されます。
わずか0.7 mmの低プロファイル
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。