Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 20 V, 81 A エンハンスメント型, 表面, 2-Pin パッケージDirectFET

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RS品番:
222-4738
メーカー型番:
IRF6636TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

81A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

パッケージ型式

DirectFET

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

2

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6.4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

18nC

順方向電圧 Vf

1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

42W

高さ

0.68mm

長さ

4.85mm

幅

3.95 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon HEXFET®パワーMOSFETシリコン技術と先進のDirect FETTMパッケージにより、SO-8の設置面積とわずか0.7mmのプロファイルのパッケージで低オン状態抵抗を実現しています。DirectFETパッケージは、製造方法とプロセスに関するアプリケーションノートAN-1035に従えば、電源用途、基板アセンブリ装置、気相や赤外線、対流はんだ付けなどで使用される既存のレイアウトに対応しています。

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