2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 9.3 A, 表面 20 V, 7-Pin エンハンスメント型 パッケージUDFN
- RS品番:
- 165-8742
- メーカー型番:
- DMN2014LHAB-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
| 3000 - 12000 | ¥29.106 | ¥87,318 |
| 15000 - 27000 | ¥28.979 | ¥86,937 |
| 30000 - 72000 | ¥28.863 | ¥86,589 |
| 75000 - 147000 | ¥28.737 | ¥86,211 |
| 150000 + | ¥28.621 | ¥85,863 |
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- RS品番:
- 165-8742
- メーカー型番:
- DMN2014LHAB-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 9.3A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| パッケージ型式 | UDFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 7 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 28mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | 150°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| 最大許容損失Pd | 1.7W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 12 V | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 高さ | 0.6mm | |
| 幅 | 2.05 mm | |
| 規格 / 承認 | AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202 | |
| 長さ | 3.05mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 9.3A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
パッケージ型式 UDFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 7 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 28mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min 150°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 0.5nC | ||
最大許容損失Pd 1.7W | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 12 V | ||
動作温度 Max -55°C | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
高さ 0.6mm | ||
幅 2.05 mm | ||
規格 / 承認 AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202 | ||
長さ 3.05mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO(原産国):
- CN
デュアルNチャンネルMOSFET、Diodes Inc.
MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.
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