型番

2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 9.3 A, 表面 20 V, 7-Pin エンハンスメント型, DMN2014LHAB-7 パッケージUDFN

RS品番:: 827-0462
メーカー型番:: DMN2014LHAB-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 9.3 A, 表面 20 V, 7-Pin エンハンスメント型, DMN2014LHAB-7 パッケージUDFN

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RS品番:: 827-0462
メーカー型番:: DMN2014LHAB-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	9.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	20V
	パッケージ型式	UDFN
	取付タイプ	表面
	ピン数	7
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	28mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	150°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	12 V
	最大許容損失Pd	1.7W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	0.5nC
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Max	-55°C
	トランジスタ構成	分離式
	長さ	3.05mm
	高さ	0.6mm
	幅	2.05 mm
	規格 / 承認	AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 9.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V
	パッケージ型式 UDFN
	取付タイプ表面
	ピン数 7
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 28mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min 150°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 12 V
	最大許容損失Pd 1.7W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 0.5nC
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Max -55°C
	トランジスタ構成分離式
	長さ 3.05mm
	高さ 0.6mm
	幅 2.05 mm
	規格 / 承認 AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020, MIL-STD-202
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格 AEC-Q101

2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 9.3 A, 表面 20 V, 7-Pin エンハンスメント型, DMN2014LHAB-7 パッケージUDFN

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受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

デュアルNチャンネルMOSFET、Diodes Inc.

MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.

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