2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 200 mA, 表面 60 V, 6-Pin エンハンスメント型 パッケージSC-88
- RS品番:
- 165-8845
- メーカー型番:
- DMN65D8LDW-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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| 30000 - 72000 | ¥9.515 | ¥28,545 |
| 75000 - 147000 | ¥9.321 | ¥27,963 |
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- RS品番:
- 165-8845
- メーカー型番:
- DMN65D8LDW-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 200mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | SC-88 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 6 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 8Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 0.8V | |
| 動作温度 Min | 150°C | |
| 最大許容損失Pd | 400mW | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 0.43nC | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| 幅 | 1.35 mm | |
| 長さ | 2.2mm | |
| 高さ | 1mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020 | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 200mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 SC-88 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 6 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 8Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 0.8V | ||
動作温度 Min 150°C | ||
最大許容損失Pd 400mW | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 0.43nC | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
動作温度 Max -55°C | ||
幅 1.35 mm | ||
長さ 2.2mm | ||
高さ 1mm | ||
規格 / 承認 RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020 | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | ||
- COO(原産国):
- CN
デュアルNチャンネルMOSFET、Diodes Inc.
MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.
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