DiodesZetex Nチャンネル MOSFET60 V 200 mA 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピン
- RS品番:
- 822-2602
- メーカー型番:
- DMN65D8LDW-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 100 - 600 | ￥17.98 | ￥1,798.00 |
| 700 - 1300 | ￥17.45 | ￥1,745.00 |
| 1400 - 1800 | ￥13.73 | ￥1,373.00 |
| 1900 - 2400 | ￥11.87 | ￥1,187.00 |
| 2500 + | ￥10.00 | ￥1,000.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 822-2602
- メーカー型番:
- DMN65D8LDW-7
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
その他
詳細情報
デュアルNチャンネルMOSFET、Diodes Inc.
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 200 mA |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V |
| パッケージタイプ | SOT-363 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 6 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 8 Ω |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 20V |
| 最大パワー消費 | 400 mW |
| トランジスタ構成 | 絶縁型 |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 幅 | 1.35mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 長さ | 2.2mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 0.87 nC @ 10 V |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 高さ | 1mm |
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