型番

2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 260 mA, 表面 30 V, 6-Pin エンハンスメント型, DMN63D8LDW-7 パッケージSC-88

RS品番:: 822-2598
メーカー型番:: DMN63D8LDW-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 260 mA, 表面 30 V, 6-Pin エンハンスメント型, DMN63D8LDW-7 パッケージSC-88

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RS品番:: 822-2598
メーカー型番:: DMN63D8LDW-7
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	260mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	パッケージ型式	SC-88
	取付タイプ	表面
	ピン数	6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	13Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	150°C
	最大許容損失Pd	400mW
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	0.4nC
	順方向電圧 Vf	0.8V
	トランジスタ構成	分離式
	動作温度 Max	-55°C
	長さ	2.2mm
	規格 / 承認	UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101
	幅	1.35 mm
	高さ	1mm
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 260mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	パッケージ型式 SC-88
	取付タイプ表面
	ピン数 6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 13Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min 150°C
	最大許容損失Pd 400mW
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 0.4nC
	順方向電圧 Vf 0.8V
	トランジスタ構成分離式
	動作温度 Max -55°C
	長さ 2.2mm
	規格 / 承認 UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101
	幅 1.35 mm
	高さ 1mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格 AEC-Q101

2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 260 mA, 表面 30 V, 6-Pin エンハンスメント型, DMN63D8LDW-7 パッケージSC-88

￥3,000円を超える注文については、送料無料

デュアルNチャンネルMOSFET、Diodes Inc.

MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.

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