2 Infineon MOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 2.3 A, 表面 20 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC
- RS品番:
- 166-1112
- メーカー型番:
- IRF7104PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
1 本(1本95個入り) 小計：*
￥9,969.015
(税抜)
￥10,965.945
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 380 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 95 - 2755 | ￥104.937 | ￥9,969 |
| 2850 - 28405 | ￥91.811 | ￥8,722 |
| 28500 - 37905 | ￥79.716 | ￥7,573 |
| 38000 - 47405 | ￥65.579 | ￥6,230 |
| 47500 + | ￥52.474 | ￥4,985 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 166-1112
- メーカー型番:
- IRF7104PBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2.3A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 400mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 9.3nC | |
| 最大許容損失Pd | 2W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 12 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 4 mm | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 2.3A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 400mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 9.3nC | ||
最大許容損失Pd 2W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 12 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 4 mm | ||
高さ 1.5mm | ||
長さ 5mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V
InfinionのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。