2 Infineon MOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 2.3 A, 表面 20 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC

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RS品番:
831-2869
メーカー型番:
IRF7104TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

2.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

400mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

9.3nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

12 V

最大許容損失Pd

2W

順方向電圧 Vf

-1.2V

動作温度 Max

150°C

トランジスタ構成

分離式

長さ

5mm

規格 / 承認

No

幅

4 mm

高さ

1.5mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

Infineon PチャンネルパワーMOSFET 12 → 20 V


InfinionのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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