2 onsemi パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 115 mA, 表面 60 V, 6-Pin エンハンスメント型 パッケージSC-70

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RS品番:
166-1841
メーカー型番:
2N7002DW
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

115mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SC-70

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

13.5Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

150°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

200mW

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

分離式

規格 / 承認

No

高さ

1mm

長さ

2mm

幅

1.25 mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

2N7002DW は、デュアル N チャンネル汎用 MOSFET です。低オン抵抗と低ゲートしきい値電圧を特長としています。また、高速スイッチングが可能で、超小型の表面実装パッケージに収容されています。このデュアル N チャンネル MOSFET は、一般的にあらゆる汎用用途で使用されますが、モータ制御や PMF （電源管理機能）で一般的に使用されています。

特長と利点:


•デュアル N チャネル

•低オン抵抗

•低いゲートしきい値

•高速スイッチング

•低い入出力リーク

強化モードデュアルMOSFET、Fairchild Semiconductor


強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。

MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

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