型番

2 DiodesZetex MOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 115 mA, 表面 60 V, 6-Pin エンハンスメント型, 2N7002DW-7-F パッケージSC-88

RS品番:: 708-2529
メーカー型番:: 2N7002DW-7-F
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

2 DiodesZetex MOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 115 mA, 表面 60 V, 6-Pin エンハンスメント型, 2N7002DW-7-F パッケージSC-88

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RS品番:: 708-2529
メーカー型番:: 2N7002DW-7-F
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	115mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	パッケージ型式	SC-88
	取付タイプ	表面
	ピン数	6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	13.5Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	200mW
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	0.78V
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Max	150°C
	トランジスタ構成	分離式
	長さ	2.2mm
	規格 / 承認	UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 Standards, J-STD-020C
	高さ	1mm
	幅	1.35 mm
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 115mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	パッケージ型式 SC-88
	取付タイプ表面
	ピン数 6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 13.5Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 200mW
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 0.78V
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Max 150°C
	トランジスタ構成分離式
	長さ 2.2mm
	規格 / 承認 UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 Standards, J-STD-020C
	高さ 1mm
	幅 1.35 mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101

2 DiodesZetex MOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 115 mA, 表面 60 V, 6-Pin エンハンスメント型, 2N7002DW-7-F パッケージSC-88

￥3,000円を超える注文については、送料無料

デュアルNチャンネルMOSFET、Diodes Inc.

MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.

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