Infineon MOSFET, Nチャンネル, 分離式, 60 V, 300 mA, 4 Ω, 0.4 nC, 6ピン, パッケージ:SC-88

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RS品番:
827-0002
メーカー型番:
2N7002DWH6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

300mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

SC-88

取付タイプ

表面

ピン数

6

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

500mW

順方向電圧 Vf

0.96V

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

0.4nC

トランジスタ構成

分離式

動作温度 Max

150°C

1.25mm

規格 / 承認

No

長さ

2mm

高さ

0.8mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

Infineon OptiMOSシリーズMOSFET、ドレイン・ソース間電圧60 V、ドレイン・ソース間抵抗4 Ω - 2N7002DWH6327XTSA1


このMOSFETは、スペースに制約のあるアセンブリでの低電力スイッチング向けに設計された表面実装型Nチャンネルトランジスタです。エンハンスメントモードで動作し、1つのチップ上に2つの素子を組み合わせることで、車載規格および産業環境に適したコンパクトなデュアルダイススイッチングを実現します。このデバイスは、中程度の電流容量と制御されたオン抵抗を必要とする基板レベルの用途向けです。

特長:


• 60 Vのドレイン定格電圧により、より高電圧のスイッチング用途に対応
• 最大4 ΩのRDSにより、オン状態での導通損失を低減
• 300 mAの連続ドレイン電流により、低電流負荷に対応
• 0.4 nCの標準ゲート電荷により、高速かつ効率的なスイッチングを実現
• 500 mWの許容損失により、低電力で熱的制約のある設計に適合
• -55°C~150°Cの動作範囲により、耐熱性を確保

用途


• マイクロコントローラ駆動による負荷スイッチングに最適
• 自動車システムのセンサーインターフェースに最適
• バッテリ管理用バランス回路に使用
• 小型リレーの代替用途に使用可能
• コンパクトなSMDパワーパス制御に最適

基板レイアウトでは、どのようなパッケージとピン数を想定する必要がありますか?


このデバイスは、6ピンの小型SC-88表面実装パッケージで提供されているため、パッドとサーマルリリーフはSC-88フットプリントに適合する必要があります。

デュアルエレメントチップは、並列動作にどのような影響を与えますか?


同一ダイ上の2つの素子により、外部でのマッチングを行うことなくコンパクトなデュアルチャンネル構成が可能ですが、全体の熱的制限はパッケージ単位で適用されます。

ゲート電圧およびドレイン電圧について、どのような制限を遵守する必要がありますか?


デバイスへの過度のストレスを避けるため、ゲート・ソース間電圧は±20 Vを超えてはならず、ドレイン・ソース間電圧は60 Vを上限とします。

導通時にはどの程度の順方向電圧が想定されますか?


規定の試験条件下では、該当する導通経路の順方向電圧は約0.96 Vです。

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