onsemi MOSFET, Nチャンネル, シングル, 150 V, 16 A, 69 mΩ, 15 nC, 8ピン, パッケージ：WDFN
- RS品番:
- 166-2094
- メーカー型番:
- FDMC86260
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 166-2094
- メーカー型番:
- FDMC86260
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 150 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 16 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 69 mΩ | |
| 標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs | 15 nC | |
| ピン数 | 8 | |
| パッケージ型式 | WDFN | |
| 自動車規格 | なし | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 (Vf) | 1.3 V | |
| 高さ | 750 μm | |
| 長さ | 3.3 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | -20 V, +20 V | |
| 動作温度 (Max) | 150 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 54 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| シリーズ | PowerTrench | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 3.3 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 150 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 16 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 69 mΩ | ||
標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs 15 nC | ||
ピン数 8 | ||
パッケージ型式 WDFN | ||
自動車規格 なし | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 (Vf) 1.3 V | ||
高さ 750 μm | ||
長さ 3.3 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) -20 V, +20 V | ||
動作温度 (Max) 150 °C | ||
最大許容損失(Pd) 54 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ 表面 | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
シリーズ PowerTrench | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 3.3 mm | ||
- COO（原産国）:
- PH
PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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