onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 7.5 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージWDFN, FDMC86116LZ
- RS品番:
- 806-3501
- メーカー型番:
- FDMC86116LZ
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 140 | ￥136.60 | ￥1,366 |
| 150 - 1390 | ￥119.70 | ￥1,197 |
| 1400 - 1890 | ￥102.90 | ￥1,029 |
| 1900 - 2390 | ￥86.10 | ￥861 |
| 2400 + | ￥69.30 | ￥693 |
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- RS品番:
- 806-3501
- メーカー型番:
- FDMC86116LZ
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 7.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | PowerTrench | |
| パッケージ型式 | WDFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 178mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 4nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 19W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 3.3mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 0.75mm | |
| 幅 | 3.3 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 7.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ PowerTrench | ||
パッケージ型式 WDFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 178mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 4nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 19W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 3.3mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 0.75mm | ||
幅 3.3 mm | ||
自動車規格 なし | ||
Fairchild Semiconductor PowerTrench® NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
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