onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 52 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
166-2543
メーカー型番:
FDB52N20TM
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

52A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

UniFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

49mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

357W

順方向電圧 Vf

1.4V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

49nC

動作温度 Max

150°C

高さ

4.572mm

規格 / 承認

No

長さ

9.98mm

自動車規格

なし

Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET


強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

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