onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 52 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, FDB52N20TM
- RS品番:
- 759-8983
- メーカー型番:
- FDB52N20TM
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 35 | ¥465.60 | ¥2,328 |
| 40 - 370 | ¥408.00 | ¥2,040 |
| 375 - 495 | ¥349.60 | ¥1,748 |
| 500 - 595 | ¥291.20 | ¥1,456 |
| 600 + | ¥233.60 | ¥1,168 |
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- RS品番:
- 759-8983
- メーカー型番:
- FDB52N20TM
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 52A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 200V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | UniFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 49mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 最大許容損失Pd | 357W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.4V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 49nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 10.16 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 9.98mm | |
| 高さ | 4.572mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 52A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 200V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ UniFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 49mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
最大許容損失Pd 357W | ||
順方向電圧 Vf 1.4V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 49nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 10.16 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 9.98mm | ||
高さ 4.572mm | ||
自動車規格 なし | ||
Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET
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MOSFET トランジスタ、 ON Semi
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受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
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