onsemi MOSFET, タイプPチャンネル 100 V, 6.6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

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RS品番:
166-2629
メーカー型番:
FQD8P10TM
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

6.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

QFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

530mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

12nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

2.5W

順方向電圧 Vf

-4V

動作温度 Max

150°C

高さ

2.3mm

規格 / 承認

No

幅

6.1 mm

長さ

6.6mm

自動車規格

AEC-Q101

COO（原産国）:
CN

自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor


Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。

MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

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