onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 229 A エンハンスメント型, 表面, 7-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
166-3399
メーカー型番:
FDB024N08BL7
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

229A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

シリーズ

PowerTrench

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

7

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2.4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

137nC

順方向電圧 Vf

1.3V

最大許容損失Pd

246W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

高さ

4.7mm

長さ

10.2mm

幅

9.4 mm

自動車規格

なし

PowerTrench® NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor


MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

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