onsemi MOSFET, Nチャンネル, シングル, 20 V, 600 mA, 1.2 Ω, 3ピン, パッケージ：SOT-523 (SC-89)
- RS品番:
- 166-3667
- メーカー型番:
- FDY302NZ
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 166-3667
- メーカー型番:
- FDY302NZ
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 20 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 600 mA | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 1.2 Ω | |
| ピン数 | 3 | |
| パッケージ型式 | SOT-523 (SC-89) | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 高さ | 780 μm | |
| 長さ | 1.7 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | 12 V, -12 V | |
| 動作温度 (Max) | 150 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 625 mW | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| シリーズ | PowerTrench | |
| 幅 | 980 μm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 20 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 600 mA | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 1.2 Ω | ||
ピン数 3 | ||
パッケージ型式 SOT-523 (SC-89) | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
高さ 780 μm | ||
長さ 1.7 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) 12 V, -12 V | ||
動作温度 (Max) 150 °C | ||
最大許容損失(Pd) 625 mW | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ 表面 | ||
シリーズ PowerTrench | ||
幅 980 μm | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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