onsemi MOSFET, Nチャンネル, 分離式, 20 V, 600 mA, 700 mΩ, 6ピン, パッケージ：SC-89-6
- RS品番:
- 671-0841
- メーカー型番:
- FDY3000NZ
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 671-0841
- メーカー型番:
- FDY3000NZ
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 20 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 600 mA | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 700 mΩ | |
| ピン数 | 6 | |
| パッケージ型式 | SC-89-6 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 高さ | 500 μm | |
| 長さ | 1.6 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | 12 V, -12 V | |
| 動作温度 (Max) | 150 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 625 mW | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| シリーズ | PowerTrench | |
| 幅 | 1.2 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 20 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 600 mA | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 700 mΩ | ||
ピン数 6 | ||
パッケージ型式 SC-89-6 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
高さ 500 μm | ||
長さ 1.6 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) 12 V, -12 V | ||
動作温度 (Max) 150 °C | ||
最大許容損失(Pd) 625 mW | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ 表面 | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
シリーズ PowerTrench | ||
幅 1.2 mm | ||
PowerTrench® Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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