IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 100 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-264
- RS品番:
- 168-4813
- メーカー型番:
- IXFK100N65X2
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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- RS品番:
- 168-4813
- メーカー型番:
- IXFK100N65X2
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | IXYS | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 100A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | TO-264 | |
| シリーズ | HiperFET, X2-Class | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 30mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 1.04kW | |
| 順方向電圧 Vf | 1.4V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 183nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 5.3mm | |
| 長さ | 20.3mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド IXYS | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 100A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 TO-264 | ||
シリーズ HiperFET, X2-Class | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 30mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 1.04kW | ||
順方向電圧 Vf 1.4V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 183nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 5.3mm | ||
長さ 20.3mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- US
NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiPerFET™ X2シリーズ
IXYS X2クラスHiPerFETパワーMOSFETシリーズは、以前の世代のパワーMOSFETと比べると、抵抗とゲート電荷量を大幅に抑えているので、損失量が低下し、操作効率が向上します。 これらの頑丈なデバイスは強化された高速真性ダイオードを実装しており、ハードスイッチングと共振モードの両方に適しています。 X2クラスのパワーMOSFETは、120 A @ 650 Vの定格電流を備えた、多様な業界標準パッケージに収納されており、絶縁タイプも用意されています。 代表的な用途には、DC-DCコンバータ、AC / DCモータドライブ、スイッチモード / 共振モード電源、DCチョッパ、ソーラーインバータ、温度 / 照明制御があります。
超低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)
高速真性整流器
低真性ゲート抵抗
低パッケージインダクタンス
産業用の標準パッケージ
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品
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