IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 1 kV, 24 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-264, IXFK24N100Q3

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梱包形態
RS品番:
801-1405
Distrelec 品番:
302-53-345
メーカー型番:
IXFK24N100Q3
メーカー/ブランド名:
IXYS
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ブランド

IXYS

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

24A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

1kV

パッケージ型式

TO-264

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

440mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.4V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

140nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

1kW

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

動作温度 Max

150°C

高さ

26.16mm

幅

5.13 mm

規格 / 承認

No

長さ

19.96mm

自動車規格

なし

Distrelec Product Id

30253345

NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET™ Q3シリーズ


IXYSのQ3クラスのHiperFET™パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。 これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100 V及び70 Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。 主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。

高速真性整流器

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高電力密度

MOSFETトランジスタ、IXYS


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