IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 27 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-264

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 本(1本25個入り) 小計：*

￥144,105.00

(税抜)

￥158,515.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 100 は 2026年2月23日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1チューブあたりの価格*
25 - 100￥5,764.20￥144,105
125 - 225￥5,679.44￥141,986
250 - 600￥5,594.64￥139,866
625 - 1225￥5,509.88￥137,747
1250 +￥5,425.16￥135,629

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
920-0874
メーカー型番:
IXFK27N80Q
メーカー/ブランド名:
IXYS
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

IXYS

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

27A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

パッケージ型式

TO-264

シリーズ

HiperFET, Q-Class

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

320mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

500W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

170nC

順方向電圧 Vf

1.5V

動作温度 Max

150°C

高さ

26.16mm

長さ

19.96mm

規格 / 承認

No

幅

5.13 mm

自動車規格

なし

NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET™ Qシリーズ


NチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET™)

MOSFETトランジスタ、IXYS


IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品

関連ページ