型番

Texas Instruments MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 157 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージVSON

RS品番:: 168-4940
メーカー型番:: CSD19502Q5BT
メーカー/ブランド名:: Texas Instruments

Texas Instruments MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 157 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージVSON

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1250 - 2250	￥235.24	￥58,810
2500 - 6000	￥231.732	￥57,933
6250 - 12250	￥228.216	￥57,054
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RS品番:: 168-4940
メーカー型番:: CSD19502Q5BT
メーカー/ブランド名:: Texas Instruments

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詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Texas Instruments
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	157A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	80V
	シリーズ	NexFET
	パッケージ型式	VSON
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	4.8mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	0.8V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	130nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	195W
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	幅	5.1 mm
	長さ	6.1mm
	高さ	1.05mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Texas Instruments
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 157A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V
	シリーズ NexFET
	パッケージ型式 VSON
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 4.8mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 0.8V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 130nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 195W
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	幅 5.1 mm
	長さ 6.1mm
	高さ 1.05mm
	自動車規格なし

ESD Control Selection Guide V1

COO（原産国）:: PH

Texas Instruments MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 157 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージVSON

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