Texas Instruments MOSFET, Nチャンネル, 100 A, 表面実装, 8 ピン, CSD18563Q5AT

ブランド

Texas Instruments

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

100 A

最大ドレイン-ソース間電圧

60 V

シリーズ

NexFET

パッケージタイプ

VSON

実装タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗

10.8 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートしきい値電圧

2.4V

最低ゲートしきい値電圧

1.7V

最大パワー消費

3.2 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-20 V, +20 V

トランジスタ素材

Si

幅

5mm

標準ゲートチャージ @ Vgs

15 nC @ 10 V

動作温度 Max

+150 °C

1チップ当たりのエレメント数

1

長さ

6.1mm

高さ

1.1mm

動作温度 Min

-55 °C