Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 23.8 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
168-5906
メーカー型番:
IPB60R160P6ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

23.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

CoolMOS P6

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

160mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.9V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

44nC

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

176W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

10.31mm

幅

4.57 mm

高さ

9.45mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

Infineon CoolMOS™E6 / P6シリーズパワーMOSFET


InfineonのCoolMOS™E6及びP6シリーズのMOSFETです。 これらのデバイスは非常に効率が高く、力率補正(PFC)、照明、コンシューマデバイスだけでなく、太陽発電、通信、サーバーなど各種の用途で使用できます。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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