Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 4 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252

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RS品番:
168-5917
メーカー型番:
IPD80R1K4P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

CoolMOS P7

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.4Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

32W

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

順方向電圧 Vf

0.9V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

10nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

高さ

2.41mm

規格 / 承認

No

幅

6.22 mm

長さ

6.73mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

Infineon CoolMOS™P7パワーMOSFET


800 V CoolMOS P7パワーMOSFETファミリは、さらに高い効率と熱特性を確立しています。電源アダプタ、LED照明、オーディオ、産業用、補助電源などの用途に適しています。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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