Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252
- RS品番:
- 215-2517
- メーカー型番:
- IPD80R900P7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ¥71.03 | ¥177,575 |
| 5000 - 22500 | ¥70.981 | ¥177,453 |
| 25000 - 35000 | ¥70.211 | ¥175,528 |
| 37500 - 47500 | ¥69.434 | ¥173,585 |
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- RS品番:
- 215-2517
- メーカー型番:
- IPD80R900P7ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| シリーズ | 800V CoolMOS P7 | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 900mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 0.9V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 15nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 45W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 6A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
シリーズ 800V CoolMOS P7 | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 900mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 0.9V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 15nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 45W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon 800V Cool MOS ™ P7 スーパージャンクション MOSFET シリーズは、性能、使いやすさ、価格 / 性能比の市場ニーズに完全に対応主にアダプタ及び充電器、 LED ドライバ、オーディオ SMPS 、 AUX 、産業用電源などのフライバック用途に焦点を当てています。この新製品ファミリは、前モデルと比べて効率が最大 0.6 % 、 MOSFET 温度が 2 → 8 ° C と低くなっています。また、通常のフライバック用途でテストされた競合部品にも対応しています。また、スイッチング損失が低く、 DPAK RDS ( on )製品の性能が優れているため、電力密度を高めた設計が可能になります。
クラス 2 ( HBM )までのツェナーダイオード ESD 保護を内蔵
クラス最高の品質と信頼性
完全に最適化されたポートフォリオ
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