Infineon MOSFET, Nチャンネル, 800 V, 6 A, 900 mΩ, 15 nC, 3ピン, パッケージ:TO-252

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RS品番:
215-2517
メーカー型番:
IPD80R900P7ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

800V CoolMOS P7

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

900mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

15nC

最大許容損失Pd

45W

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

900mV

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

インフィニオン 800V CoolMOS P7 シリーズ MOSFET、ドレインソース電圧 800V、連続ドレイン電流 6A - IPD80R900P7ATMA1


この MOSFET は、過酷な環境下での電力変換および高効率なスイッチング用途向けに設計された、高耐圧スイッチングトランジスタです。広い温度範囲で動作し、コンパクトな基板レイアウトに適した表面実装パッケージで提供されるため、堅牢な電圧処理が必要な産業およびパワーエレクトロニクス用途に適しています。

特長:


• 800V のドレイン定格により、高電圧システムのスイッチングが可能になります。
• 6Aの連続ドレイン電流により、中程度の負荷電流に対応
• 900mΩの低オン抵抗により、導通損失を低減
• 15nC 標準ゲート電荷により、より高速なゲートドライブ応答を実現
• 最大 45W の許容電力が熱応力に対応します。
• 最大 20V のゲートソース間耐圧により、一般的なゲート駆動電圧に対応します。

用途


• 高電圧コンバータの電源に最適
• スイッチモード電力段の切り替えに使用
• 産業用インバータのフロントエンドに適しています。
• 高圧モーター駆動用回路に使用可能
• プリント基板上のコンパクトな表面実装と併用

動作時に対応できる温度範囲はどのくらいですか?


-55°C~150°C で動作し、低温および高ジャンクション用途に対応します。

プリント基板にどのように取り付けられ、どのようなパッケージを使用しますか?


基板の占有面積を少なくするため、表面実装用の TO-252 パッケージで供給されます。

負荷時にはどのような導通挙動が期待されますか?


このデバイスは、最大 900mΩ のオン抵抗を発揮し、最大 6A の連続電流に対応する導通損失と熱設計に影響を与えます。

安全な動作のために、どのようなゲート駆動要件が必要ですか?


ゲートソースの定格電圧は ±20V で、標準的な総ゲート電荷量は 15nC で、ドライバーの容量とエネルギー予算の切り替えに役立ちます。

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